一、产品整体概述
LR050N03TL4 是沟槽工艺 N‑MOS 功率管，TO‑252 封装；Vds 耐压 30V；Tc=25℃连续漏极电流 Id=77A；Vgs=10V 时典型导通电阻 Rds (on)=4.4mΩ；脉冲峰值电流 IDM=308A；最大耗散功率 Pd=54W；具备低 FOM 优值，适合高频硬开关电源；应用于 UPS 不间断电源、各类功率开关电路。
封装说明：TO‑252 贴片，引脚定义：G 栅极、S 源极、D 漏极，漏极和散热焊盘连通。
二、关键电气参数
极限参数 (Tc=25℃)
表格
| 参数 | 典型值 |
|---|---|
| VDS 漏源耐压 | 30V |
| VGS 栅源电压 | ±20V |
| 连续 Id (Tc=25℃) | 77A |
| 连续 Id (Tc=100℃) | 49A |
| 脉冲 IDM | 308A |
| 最大功耗 Pd | 54W |
| 单脉冲雪崩能量 EAS | 157mJ |
| 结温 / 储存温度 | ‑55~+150℃ |
| 结‑壳热阻 θJC | 2.3℃/W |
静态关键特性
- VGS (th) 栅极阈值：1.0~2.0V，典型 1.4V
- Rds (on)：VGS=10V，4.4mΩ(典型)；VGS=4.5V，6.9mΩ(典型)
动态参数
- 总栅电荷 Qg 典型 33nC；Qgs=5nC，Qgd=7nC
- 输入电容 Ciss=1400pF，输出 Coss=209pF，反向 Crss=180pF
- 栅极内阻 Rg=2.1Ω
- 开通延时 9ns，上升 8ns；关断延时 29ns，下降 5ns
体二极管特性
- 正向压降 VSD 最大 1.2V；反向恢复时间 trr 最大 27ns，Qrr=20nC，反向恢复性能较好。
三、内置功能与重要限制
✅内置功能
- 沟槽低 Rds (on) 工艺，FOM 栅电荷 × 导通电阻优值表现优秀；
- 内置体二极管，可用于续流；支持单脉冲雪崩 UIS 耐受；
- TO‑252 封装，漏极接焊盘便于 PCB 铜皮散热。
⚠️重要限制
- 电流随壳温升高大幅降额：Tc=100℃仅 49A，实际工程不能按 77A 满额长期使用；
- Vgs 最大 ±20V，栅极过压易损坏器件，建议增加栅极电阻防护；
- 体二极管反向恢复 trr=27ns，高频硬开关注意二极管损耗；
- TO‑252 依赖 PCB 铜皮散热，散热不足会触发大电流降额。
四、引脚定义（TO‑252）
表格
| 引脚 | 名称 | 功能 |
|---|---|---|
| 1 | G | 栅极，MOS 驱动输入 |
| 2 | S | 源极 |
| 3 | D | 漏极；底部金属焊盘与 D 连通，用于散热 |
五、外围应用设计要点
- 栅极驱动：串联栅极电阻 Rg，抑制振荡，结合驱动芯片能力选择阻值；Vgs 控制在 4.5‑10V，不要超过 ±20V。
- 散热设计：TO‑252 底部焊盘必须大面积接 PCB 铜皮，多打散热过孔，做好散热降额；Tc 升高电流显著下降。
- 体二极管使用：可作为续流管；高频场合注意反向恢复损耗。
- 雪崩工况：可承受 157mJ 单脉冲雪崩，不允许重复雪崩持续工作。
六、典型应用场景
UPS 不间断电源、DC‑DC 功率变换、硬开关高频电路、电机驱动、电池保护板、大电流负载开关。
转载自 CSDN-专业IT技术社区
原文链接：https://blog.csdn.net/2601_96747699/article/details/167921180
